أعلن عملاق التكنولوجيا فى العالم سامسونج Samsung Electronics ، أن خبراءه قد أنتجوا أول نماذج لتقنية قطع الذاكرة العشوائية للكمبيوتر RAMs ، وهي تقنية DDR4 .
ووفقا لما أعلن حتى الآن ، فهي تشكل ثورة فى سرعة الـ RAMs عن أعلى جيل حالى وهو الـ DDR3 ، حيث تقدم ضعف السرعة ، واستهلاك كهرباء أقل بحوالى 40% مما يجعلها الأنسب فى الإستخدام فى أجهزة الكمبيوتر المحمولة Laptops .
وقد استخدمت تفنية التصغير المتطورة 30 نانومتر فى تصنيع هذا الجيل الجديد ، وهذا التطور فى معمارية البناء يتيح الوصول لسرعة نقل بيانات 3.2Gbit/sec ، وهي ضعف القيمة القصوى للتقنية السابقة DDR3 .
ويتوقع أن يكون الفولت التلقائي للقطعة 1.2 فولت ، وهو قليل مقارنة بالـ DDR3 ، وسيتيح هذا الفولت المنخفض مع المعمارية الحديثة ، قدرات أفضل فى كسر السرعة overclock عند الحاجة لها .
